반도체 공정 17.5강(Oxide thickness determination)

앞서 반도체 공정에 있는 다양한 산화막에 대해 알아봤습니다. 각 산화막이 어떤 이유에서 생기는지, 두께는 어떠한지, 어떤 목적으로 만드는지에 대한 지식은 기본적으로 알고 있어야 합니다. 이번 시간에는 반도체 웨이퍼에 생긴 산화막의 두께를 어떻게 측정하는지(Oxide thickness determination)에 대해 알아보겠습니다. 산화막(SiO2)은 기본적으로 투명합니다. 따라서 SiO2로 들어간 빛은 아래 그림처럼 Oxide 표면에서 한 번, Silicon 표면에서 한 번 반사됩니다. 물론 이해를 돕기 위해 Θ가 약 40가 되도록 그렸지만, 실제 상황에서는 Θ를 0으로 하고 측정을 진행합니다. 산화막의 두께를 L이라고 할 때, 1번 빛과 2번 빛 사이에는 2L의 경로차가 생기게 됩니다. 이 떄 발생하는 두 빛이 간섭하는 정도에 따라서 반사되는 빛의 색깔이 변하게 됩니다. 그래서 우리는 Oxide의 색을 보고도 두께를 어림잡아 측정할 수 있고, 나아가 보강간섭의 원리를 통해 Oxi...

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