반도체 공정 26장(Concentration dependent diffusion)

저번 시간까지 Diffusion 공정에 대해 알아봤습니다. 그런데 저번 시간까지는 Dophant의 농도가 웨이퍼의 진성 캐리어 농도(Intrinsic carrier concentration)보다 낮을 때, Diffusion coefficeint가 Dophant 농도에 무관하다는 전제 하에 세운 모델입니다. 하지만 Dophant의 농도가 웨이퍼의 진성 캐리어 농도보다 높을 때, 확산계수는 농도에 비례하는 함수가 됩니다. 이번 시간에는 Diffusion Process의 추가 설명과, 앞서 살펴본 모델의 한계에 대해 알아보겠습니다. 1. Atomic diffusion path Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger Diffusion 공정을 원자단위로 살펴본다면, 어떤 Process로 확산이 일어날까요? 위 그림과 같이 Diffusion Path는 세 종류가 있습니다. ① Subsitutional 기존에 있던 ...

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