반도체 공정 24장(산화막의 전하)

산화막 내부에는 많은 전하가 불가피하게 존재합니다. 다만 산화막 내부의 전하를 최대한 줄여야 좋은 품질의 산화막을 얻을 수 있습니다. 이번 시간에는 산화막 내부에 존재하는 전하의 종류와, 제거 방법에 대해 알아보겠습니다. 1. 산화막 전하 종류 (반도체 공정기술 _최호정 著) 2005 생능출판사 ① 이동이온전하(Mobile trapped charge, Qm) 이동이온전하는 장비의 불충분한 세정이나 사람의 날숨에 의한 오염으로 발생하는 전하입니다. 이 때 불순물은 K+, Na+, Li+ 등의 알칼리 금속 이온입니다. 고온, 고전압 동작 시 산화막 내부의 Bias 조건에 따라 이동하면서 Threshold Voltage에 불안정성을 부여합니다. ② 산화막포획전하(Oxide trapped charge, Qot) Bulk 산화막 내부에 electron이나 hole이 포획된 (+)나 (-)전하입니다. 일반적으로 산화막 내부 Defect나 Broken bond에 의해 발생합니다. 대부분 저온처리...

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