반도체 공정 31장(Ion implantation& Mathematical approach)

앞에서는 Diffusion 공정에 대해 배웠습니다. 물론 Diffusion 공정은 많은 곳에서 쓰이는 공정은 맞지만, 현대 기술에서는 여러 가지 단점으로 인해 Ion implantation 공정을 더 많이 사용하는 추세입니다. 이번 포스팅부터는 Ion implantation 공정에 대해 알아보도록 하겠습니다. Ion implantation은 Room temperature에서 진행할 수 있다는 가장 큰 장점이 있습니다. 앞에서 학습한 Diffusion 공정의 High Temperature과는 다르죠? 먼저 1~100keV로 가속한 Ion beam을 시편에 조사하게 되면 상당수의 이온은 시편에 부딛힌 뒤 다시 Back scattering 되어 튕겨나올 것입니다. 나머지 Ion들은 내부로 Sputtering이 진행되어 시편 내부에 박히게 됩니다. 마치 앞에서 배웠던 SIMS처럼 말이죠. 그럼 시편의 결정구조가 깨지기 때문에 Modified surface가 되고, 비결정질처럼 된 Amorp...

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