반도체 공정 39장(Si epitaxial growth rate & LPCVD)

저번 포스팅까지 Growth kinetics에 대해 알아보고, Surface reaction controlled와 Mass transfer controlled가 어떻게 유도되는지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 그럼 Si epitaxial growth를 진행할 때 어떤 반응이 선호되는지, 그리고 그에 따라 CVD가 LPCVD로 변화한 이유에 대해 알아보겠습니다. 1. Si epitaxial growth 위 그림은 Surface Temperature에 따른 Si growth rate에 대한 그래프입니다. 표면의 온도(Surface temperature)에 대한 그래프이므로 확산에 대한 Flux와 무관한 그래프라는 것을 알 수 있습니다. 표면 온도가 낮을 때는 표면 반응속도가 확산속도에 비해 낮기 때문에 Surface controlled reaction입니다. 그리고 비례상수인 ks는 온도에 따라 바뀌는 값입니다. 표면 온도가 높을 때는 반대로 ks가 너무 크기 때문에 확산속도가...

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