반도체 공정 40장(Growth in Wafer)

저번 포스팅에서는 Film deposition process에서 필요한 공정조건(Surface reaction controlled)에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 Wafer에 다양한 물질을 어떻게 증착하는지, 그리고 증착하는 과정에서 발생하는 다양한 현상에 대해 알아보겠습니다. 1. Growth in SiCl4 위 그래프는 SiCl4 Fraction에 대한 Film growth rate입니다. 증착 과정은 위와 같은 가역적인 반응으로 이뤄집니다. 처음 Fraction을 늘릴 때는 Single crystal Si가 생기지만 Fraction을 늘려서 성장속도가 2um/min을 넘어가게 되면 Polysilicon이 생성됩니다. 앞서 학습한 TLK 모델에서 충분한 시간을 주지 않은 채로 물질들이 때려 넣으면 질서를 잃어버린 채로 일단 Stacking이 이뤄지기 때문입니다. 그럼 여기서 Fraction을 더 늘리면 SiCl4가 너무 많아져서 반대로 성장속도가 줄어들다가 위와 같은 반...

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