저번 포스팅에 이어 Carrier concentration 수식을 더 활용하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 대표적인 방법으로 Mass-action law가 있는데, 기본적으로 평형상태의 반도체에서는 np = ni2 을 만족시킨다는 것입니다. 이번 포스팅에는 앞서 살펴본 수식의 응용이 많이 등장하기 때문에 학습하기에 앞서 이전 포스팅에 대해 확실하게 공부를 마치는 것을 추천드립니다. 1. Mass-action law 저번 포스팅에서 살펴본 ni에 대한 수식 두개를 곱하면 위와 같은 결과물을 얻을 수 있습니다. 즉, 아무런 도핑을 하지 않은 반도체의 intrinsic carrier concentration은 절대적으로 온도와 밴드갭의 크기에 의존한다는 것을 알 수 있습니다. Semiconductor Physics and Devices 3rd Ed., D.A. Neamen 위 수식을 그래프로 나타내면 위와 같습니다. 좌측의 그래프는 Intrinsic carrier concentration...
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원문링크 : 반도체 재료 6장(Mass-action law & Carrier modeling)
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