이번 포스팅에서는 Metallization의 다양한 공정에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅을 마지막으로 Metallization process가 마무리 되고, 반도체 공정 47장부터는 Packaging 공정에 대해 학습하겠습니다. 1. Ohmic contact structure and Barrier material (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 위 그림은 Ohmic contact structure의 한 예시입니다. Source / Drain / Gate 위에 존재하는 Salicide를 확인할 수 있습니다. Via로 사용하기 좋은 물질은 W(Tungsten)입니다. 벽면을 따라서 Barrier material을 설계했는데, 일반적으로 TiN을 사용합니다. 그리고 좌우로 Shallow trench isolation이 존재하는 것을 알 수 있습니...
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원문링크 : 반도체 공정 46.5장(Various structure of metallization)
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