SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑥ S/D doping / ILD deposition

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> S/D doping이란 Active layer에서 Source와 Drain, 그리고 Gate polysilicon에 n+로 Doping을 하는 공정입니다. Doping source는 Phosphorous를 사용하고, Furnacne를 통한 열처리로 Doping을 진행합니다. 이 때 solid source diffusion을 이용하고, 웨이퍼 측면에서는 Dophant가 충만한 Constant source diffusion이 진행됩니다. 따라서 S/D doping이 끝난 이후의 공정에서 높은 온도에서 열처리를 진행하면 의도치 않게 Dophant가 더 깊은 곳으로 이동할 수 있으니 주의해야 합니다. 마지막으로 device와 device 사이, 그리고 층과 층 사이를 구분하는 ILD oxide(Interlayer dielectric)를 PECVD 공정을 통해 올려줍니다. PECVD는 비교적...

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