SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑨ Metal alloy / 후기

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 이제 n-MOSFET의 모든 구조는 완성되었습니다. 마지막으로 Metal과 Semiconductor 사이의 접촉 저항(Contact resistnace)을 줄이기 위한 마지막 공정이 남았습니다. 접촉저항을 줄여야 하는 이유는 RC time delay를 최대한 줄이는 것에 기인합니다. 지금까지 Contact resistance를 줄이기 위한 여러가지 방법이 연구되었지만, 이번 공정에서는 열처리를 통한 Metal alloy 공정을 사용했습니다. 즉, Silicon과 Metal 사이의 계면을 열처리를 통해 Silicide로 만드는 방법입니다. 이때 열처리를 하면서 발생하는 Donor diffusion 은 차후 소자 측정을 진행할 때 오차 요소가 될 수 있습니다. Metal alloy 공정이 마무리된 이후 n-MOSFET의 단면도는 위와 같습니다. Metal alloy Silicide Me...

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