SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑫ MOSFET IV curve

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 저번 포스팅에서 MOS capacitor의 CV curve 측정과 분석에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 본격적으로 MOSFET에 대한 이론과 실제 IV curve 측정에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅을 끝으로 SPTA 공정 실습은 마무리됩니다. 소자 제작부터 소자 특성 분석까지 긴 포스팅을 봐주셔서 감사드립니다. 더불어 이런 좋은 경험을 제공해 주신 SPTA와 이종욱 원장님께 감사 인사드립니다. MOSFET & IV curve 이론 MOSFET의 동작 구조는 기본적으로 위 그림과 같습니다. Gate에 Gate voltage(VG)가 가해지고, Drain에는 Drain voltage(VD), 그리고 Source에는 Ground가 연결됩니다. 본격적으로 설명하기에 앞서 MOSFET을 쉽게 설명하자면, 게이트(Gate)는 수도꼭지 역할을 하고, 드레인(Drain)은 수압의 역...

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