10. 다이오드(Diode) - 전압(Bias)을 인계했을 때


10. 다이오드(Diode) - 전압(Bias)을 인계했을 때

저번 포스팅에서 다이오드(Diode)의 기본적인 이해를 했다면, 이번 포스팅에서는 본격적으로 회로에서 어떤 역할을 하는지, 전압을 인계했을 때 어떤 변화가 있는지, 구체적으로 알아보겠습니다. 이 포스팅이 끝난 이후 왜 이런 그림이 나타나는지 이해하시면 됩니다. PN 다이오드의 밴드갭 Bandgap of PN diode 밴드갭(Bandgap)은 학부 시절에 많이 보셨으니 위와 같이 생겼다는 것을 대부분 독자님들께서 아실 것입니다. Valence band는 전자가 원자핵에 묶인 영억, Conduction band는 자유전자가 되는 영역입니다. 위 밴드갭에서 중요한 부분은 바로 페르미 레벨 준위(Fermi level)인데, 전자의 존재 확률이 0.5가 되는 곳입니다. 페르미 레벨의 위치는 p-type 반도체는 정공이 많기 때문에 내려오고, n-type 반도체는 전자가 많기 때문에 올라갑니다. 두 반도체가 이제 접합을 할건데, 페르미 레벨(Fermi level)은 동일 System 내에서 ...


#avalanche #반도체재료 #반도체소자 #반도체면접 #반도체공정 #반도체 #다이오드 #공정 #zener #Diode #breakdown #소자

원문링크 : 10. 다이오드(Diode) - 전압(Bias)을 인계했을 때