DRAM Roadmap & Challengers // ~ing

2017기준이라 현재 개발노드는 나와있지 않다. -Node현재는 1z를 넘어서 1a(혹은 1alpha)세대이다.-Cell Layout현재 4F square를 개발 중이며, 이에 따른 여러가지 문제점을 해결해야한다. 8F square에서 6F square로 넘어갈 때는 Open Bit Line Bar 라는 기술을 도입했지만, 4F square에서는 어떤 기술이 도입될지 연구중이다.-Lithography한 동안 EUV는 계속 유지될 것이라 생각된다. 광원은 유지되나, RET(Resolution Enhancement Technology)가 더욱 개발될 것이다. 우리는 이미 LELE, Off-axis illumination, Model-based OPC, Immersion 등 많은 기술을 개발해왔다.-Cell Tr 이는 MOSFET의 발전과 같으므로 MOSFET 항목에서 다루도..........

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