[반도체공정] 산화공정 Oxidation Process

Oxidation 공정은 반도체 공정의 기본 중의 기본이다. 산화공정을 거치는 이유는 웨이퍼에 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)를 형성해 회로와 회로 사이 누설전류가 흐르는 것을 차단하고, 산화막은 또한 이온주입공정에서 확산 방지막 역할과 식각공정에선 필요한 부분의 잘못된 식각을 막는 식각 방지막 역할을 한다. 요즘 같은 미세공정 시대에선 아주 작은 불순물도 집적회로의 전기적 특성에 영향을 크게 미치기 때문에 아주 중욯다. 반도체 Wafer 산화막 제조 방법 산화막을 제조하는 방법에는 열적 산화(Thermal Oxidation)과 CVD 및 PVD를 통한 방법이 있다. 열적산화의 겨우 800~1200'C의 고온에서 진행하며 얇고 균일한 SiO2를 형성할 수 있기에 가장 보편적인 방법이다. 따라서 해당 포스트에서는 열적 산화 방법만을 다룬다. 열적산화 공정은 산화 반응에 사용되는 Gas에 따라 건식산화(Dry Oxidation)와 습식산화(Wet Oxidation)으로 나뉜다. i...

원문링크 : [반도체공정] 산화공정 Oxidation Process