[반도체 공정 실습]SPTA 구조형성 공정실습 1일차(2)

Oxidation 정의 고온에서 silicon을 산화시켜 SiO2 산화막을 형성 하는 과정 고온에서 반응하여 high qulity(밀도가 큰)산화막이 형성된다. ->breakdown voltage가 높다. Why? gate oxide,구조 oxide, diffusion barrier/insulator를 만들기 위해서 How? Dry Oxidation : Si + O2 -> SiO2 Wet Oxidation: Si +H2O ->SiO2+ 2H2 산화 속도(공정시간)을 결정하는 요인으로는 확산속도와 반응속도가있다. 확산속도는 대기에서 SiO2로의 확산(1) + SiO2 내부에서 Si계면으로의 확산이 (2)있다. (1)은 농도차이에 의해 결정되는 속도로 압력조절을 통해 제어가능하다. (2)는 농도와 산화막의 두께에 의해 결정되는 속도로 Fick's first law에 의해 계산된다. 반응속도에서 수증기가 산소보다 실리콘 계면 통과가 더 잘되는데 이는 activation energy의 차이...

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