[반도체 8대공정]_Dry Etch (1)

하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 vaccum(진공) : 기체 분자 수의 감소 " 진공도를 높이면 압력은 낮아지고 기체 분자 수가 줄어들고 collision이 줄어들고 Mean Free Path (MFP)가 길어진다" 진공 사용 예시 PVD : Thin Film에 MFP를 길게 해서 Purity와 Qulity를 증가시킨다. EUV: 기체 분자 수를 최소화해서 빛이 흡수되거나 산란되지 않게 한다. 저진공 : 1 ~ 10^(-3) Torr 중진공 : 10^(-3) ~ 10^(-6) Torr 고진공 : 10^(-6) ~ 10^(-9) Torr 초고진공: 10^(-9) ~ Torr 사용되는 공정 조건 저진공: ETCH 중진공: CVD 고진공: IIP, Photo 초고진공: 분석 계측 장비 Dry ETCH "Wafer 위에 원하는 회로 형성을 위해 물리적, 화학적 반응을 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 공정" 구분 WET ETCH DRY ETCH Method Chemical r...

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