반도체 공정 10강(p-n diode Fabrication)

앞선 시간에는 Photolithography 공정이 어떤 순서로 진행되는지에 대해 알아봤다면, 이번 시간에는 실제 p-n diode Fabrication의 순서를 알아보겠습니다. 1. Exposure 먼저 p-type 웨이퍼에 Thermal oxidation 공정으로 SiO2 산화막을 만들어 줍니다. 그 위에는 PR을 Spin coating 해줍시다. 그리고 첫번째 마스크를 사용하여 노광을 진행해줍니다. 이때 마스크의 역할은 이후 진행할 Ion implantation을 위해 필요한 부분만 보호막인 SiO2를 제거하기 위함입니다. 2. Development of PR 노광 이후 PR을 현상하여 노광된 부분을 제외하고 PR(부식방지코팅)이 남게 됩니다. 3. SiO2 etching and doping 이제 Donor atom을 웨이퍼 위에 Ion implantation 해줍니다. 산화막이 방어막 역할을 하기 때문에, 산화막이 없는 부분에 대해서만 Ion implantation이 진행됩니...

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