반도체 공정 36.5장(SOI wafer & Rutherford Backscattering Spectroscopy)

저번 시간까지 Ion implantation과 Ion beam accelerator의 구성 요소에 대해 학습했습니다. 이번 시간부터는 Ion implantation을 다른 곳에 어떻게 활용하는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Silicon-on-Insulator(SOI) wafer 일반적으로 수소 이온은 고체 안에서 Pore을 형성하기 때문에 Implantation을 피하는 물질입니다. 하지만 이 경우, Silicon-on-insulator(SOI)를 형성하기 위해 사용할 수 있습니다. 먼저 산화막이 형성된 웨이퍼 위에 H+ Ion implantation을 진행합니다. 이후 웨이퍼를 뒤집어서 Dummy wafer(Handle wafer)을 붙혀줍니다. 이 상태로 Annealing을 진행하면 Projected range에서 Pore가 형성됩니다. 그리고 웨이퍼에 약간의 Mechanical strength를 부여하면 웨이퍼 윗부분이 쉽게 떨어지게 됩니다. 이후 CMP 공정으로 Nano s...

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