PECVD - low-k // - ing


PECVD - low-k  // - ing

공정 미세화에 따라 배선의 폭 감소로 인해 금속저항이 증가하면서 IR Drop에 의한 Power consumption이 증가하고 있다. 또한 금선과 IMD 사이에서 RC coupling, RC time delay의 또한 중요 고려사항이다. RC coupling의 경우 절연층 두꼐 감소로 Capacitance가 증가하면서 τ=RC가 커지고 즉 방전시간이 증가하면서 switching 시간이 늘어나고 이로인해 신호 전달의 지연을 야기한다.)RC time delay의 경우 Cross-talk에 의한 Noise 간섭을 유발한다. Cross-talk란 신호전류의 반대방향으로 생성되는 유도전류를 의미한다. 이는 선폭이 좁아지면서 인접 layer에 흐르는 전류로 인해 발생하는 자기장의 영향이 증가하면서, 이로 인해 유도전..........



원문링크 : PECVD - low-k // - ing