반도체 전공정 ② - 1. Oxidation 공정 - SiO2 특성, 성장 Process, LOCOS & STI


반도체 전공정 ② - 1. Oxidation 공정 - SiO2 특성, 성장 Process, LOCOS & STI

반도체 전공정 중 가장 처음에 배우는 산화공정은 소자에 아주 유용하게 사용되고 있는 공정입니다. 웨이퍼에 Thermal 에너지와 산화제를 통해서 Si으로부터 SiO2를 만들어서 여러 방면에 사용하는데요. 이 SiO2는 1732로 녹는점이 아주 높고 결정적으로 계면적인 특성이 아주 우수하기 때문에 기존에 사용하던 GeO2을 밀어낸 계기가 됩니다. 그렇다면 SiO2는 어떤 점이 좋아서 사용하게 된 것일까요? "SiO2의 특성" . 선택적 제거가 쉽다. - 리소그래피나 HF물질로 선택적으로 제거가 쉽습니다. . 신뢰성이 뛰어나다. - Si 자체에서 생성하기때문에 다른 물질보다 성장성과 Adhesion이 뛰어납니다. - 또한 계면 defect도 다른 것에 비해 적어 전기적 특성에 대해 안정적입니다. 이는 dangling bond가 적어 Charge들이 Trap되지 않는다는 말과 같습니다. - 다른 물질을 엣칭 시 SiO2가 보호해주는 Surface Passivation 역할을 해줍니다. 이...


#birdbeak #산화막특성 #산화막 #산화공정 #반도체제조 #반도체전공정 #반도체8대공정 #반도체 #STI #SiO2특성 #SiO2 #Si3N4 #Oxide #Oxidation #LOCOS #Isolation #절연막

원문링크 : 반도체 전공정 ② - 1. Oxidation 공정 - SiO2 특성, 성장 Process, LOCOS & STI