반도체 공정 25장(Diffusion 공정)

이번 시간부터는 확산(Diffusion) 공정에 대해 알아보겠습니다. 확산 공정은 아래 그림과 같이 웨이퍼 위에 Dophant source 도포하고 열처리를 거쳐 웨이퍼에 불순물을 주입하는 공정입니다. 이 때 산화막은 마스크(Mask) 역할을 하여 원하는 부분에만 도핑이 이루어지도록 합니다. 물론 확산공정은 등방성(Isotropic)을 갖고 있으므로 산화막이 있다고 해도, 아래 그림처럼 정확하게 산화막이 없는 부위에만 확산이 일어나지 않습니다. 그럼 확산 공정은 어떻게 진행될까요? 확산 공정은 두 개의 Step으로 구성됩니다. Constant source diffusion과 Limited source diffusion입니다. Constant source diffusion으로 Dophant의 양을 결정하고, Limited source diffusion으로 도핑의 깊이를 결정합니다. 1. Constant source diffusion (Error function) Introduction...

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