HKMG의 필요성 - Metal Gate를 중점으로

HKMG의 필요성 - Metal Gate를 중점으로

생각보다 HKMG에 대해 다루는 글이 없었고, 특히 High-k 물질에 대해서는 어느 정도 설명이 되어있는 글이 있었지만,Gate에 대해서는 설명이 거의 없는 글들이 많아서 작성하게 되었습니다. HKMG의 필요성1.반도체 산업의 기술노드는 한 웨이퍼 당 수율 증가, MOSFET의 성능증가를 위해 선폭미세화로 진행됩니다.2.기존의 poly-Si / Silica / Si 구조에서 더 이상 Silica의 두께를 감소시킬 수 없는 상황이 되었습니다. (1 micrometer 이하의 MOSFET & 20 Angstrom이하의 Silica두께)3.이에 유전율을 높이고 두께를 증가시킬 수 있는 High-k oxide가 등장합니다.(4.High-k oxide의 단점을 보완하기 위해 Nitride layer를 추가합니다.)5.얇..........

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