결정면에 따른 전기적 특성 , ~ing

일반적으로 IC공정에서는 <100> Wafer를, Power device에서는 <111> Wafer를 자주 사용한다.결론부터 말하면 Power device에서는 결정결함이 더 중요하기에 111을 쓰는 것이고, IC에서는 111과 100의 Atomic density = 1.155 : 1 (4 나누기 루트 3 : 2)Interface trapped charge (Qit)Si와 Oxide계면에서 화학 조성에 의존하는 특성을 갖는다.Fixde Oxide charge(Qf)Si와 Oxide 계면에서 3nm이내에 존재한다. Oxidation 공정이 완료된 후 일부 ionic silicon이 Si와 Oxide경계를 떠나 불완전한 Silicon bond들과 같이 존재하게 된다.Oxide trapped charge(Qot)Oxide내부의 불완전한 결합으로 인해 발생한다. 대부분..........

원문링크 : 결정면에 따른 전기적 특성 , ~ing