반도체 공정 20강(Shallow & Deep Trench Isolation)

저번 시간에는 웨이퍼 위에 Thermal oxidation으로 산화막을 형성할 때 불가피하게 발생하는 Bird's beak effect와 그에 따른 해결책인 LOCOS(Local oxidation of silicon)에 대해 알아봤습니다. 이번 시간에는 Device 사이를 구분(Isolate)하는 Trench isolation에 대해 알아보겠습니다. 물론 트렌치를 형성하는 과정은 엔지니어들에 의해 지속적으로 발전 중이고, 고전적인 형태인 Shallow trench isolation에서 발전한 Deep trench isolation까지 알아보겠습니다. 1. Shallow trench isolation Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger ① Stack & Trench etch 먼저 실리콘 웨이퍼 위에 Nitride와의 잔류응력 문제 해결을 위한 Pad oxide를 증착하고, 이어서 Nitride를 증착합...

원문링크 : 반도체 공정 20강(Shallow & Deep Trench Isolation)