3. 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)와 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor), 그리고 도핑(Doping)


3. 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)와 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor), 그리고 도핑(Doping)

사실 실리콘(Si) 반도체를 제조한 그대로 사용할 수는 없습니다. 온도에 따른 저항의 변화로 센서처럼 사용할 수는 있지만, 환경이 극히 제한적이기 때문입니다. 그렇기 떄문에 우리는 도핑(Doping)이라는 공정을 거쳐서, 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor)를 만들게 됩니다. 그래서 전자가 어떨 때는 쉽게 자유전자가 되고, 어떨 때는 어렵게 자유전자가 되어서, 상황에 맞게 반도체를 사용할 수 있습니다. 진성 반도체 Intrinsic semiconductor 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)란 캐리어의 농도가 Intrinsic 캐리어 농도와 동일한 반도체를 뜻합니다. 즉, 절대영도(0K)에서는 어떤 전자도 전도대로 올라가지 못해서 완전 부도체로 거동하다가, 온도가 올라갈 수록 전자가 에너지를 받아서 자유전자가 됩니다. 그래서 위 그래프와 같이 온도가 증가할 수록 진성 캐리어 농도도 증가하게 되는 것입니다. 한마디로 완전히 온도에 따라서 전도...


#반도체 #진성 #정공 #자유전자 #외인성 #반도체재료 #반도체소자 #반도체면접 #반도체공정 #반도체공부 #캐리어

원문링크 : 3. 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)와 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor), 그리고 도핑(Doping)