Pulsed plasma, Pulsed RF plasma // ~ing

목적: for more high aspect ratio structure기존: CW(Continuous wave) RF plasma -> 개선: Pulsed (RF) plasma이용: CCP, ICP기존의 Plasma 방식(=ECR(Electron Cyclotron resonance Plasmas), Helicon wave plasma,CCP, ICP)에서의 문제점: scaling down에 따른 high aspect ratio structure의 필요성으로 인한 다양항 문제점 발생1.식각 균일도 및 임계치수(critical dimension) 제어 문제2.식각 선택도(etch selectivity) 및 식각 프로파일 확 보 문제3.전하축적, 식각 손상(etch damage: structural and electrical) 문제4.패턴왜곡 등의 문제->기존 연속파(CW) 고밀도 플라즈마에서는 항상 plasma가 on상태이기 때문에 발생!..........

원문링크 : Pulsed plasma, Pulsed RF plasma // ~ing